演算法的時間複雜度計算問題 求詳解時間複雜度的運算,不要複製的,請以下列例題詳細講解下,最好能將每個步驟都說明白點 例1 void fun1(int n) { int i=1,k=100; while(i

演算法的時間複雜度計算問題 求詳解時間複雜度的運算,不要複製的,請以下列例題詳細講解下,最好能將每個步驟都說明白點 例1 void fun1(int n) { int i=1,k=100; while(i

第一題:
int i=1,k=100這條語句演算法步數是2步,執行頻率是1;
迴圈中, k=k+1;這條語句每次演算法步數是1;執行頻率是n/2-1; i+=2這條語句每次演算法步數是1;執行頻率是n/2-1;
所以演算法複雜度為1*(n/2-1)+1*(n/2-1)+2=n=o(n);

計算時間複雜度 10、線性表( a1,a2,…,an)以鏈式儲存時,訪問第i位置元素的時間複雜度為( ). A.O(i) B.O(1) C.O(n) D.O(i-1) 麻煩告訴下如何算出來的

C,樓上不要誤導別人啊!說時間複雜度就是平均的時間複雜度,那就是i從1到n的複雜度之和除以n,於是是1加到n除以n,是O(n)

關於計算演算法的時間複雜度問題 i=1; ① while (i

因為每次i是乘2而不是加1.所以其實只需要乘(log(2, n)上取整次)就可以超過n了.

某演算法的時間複雜度為O(n^2),表明該演算法的_______________. A 問題規模是n^2 B 執行時間等於n^2 C 執行時間與n^2成正比 D問題規模與n^2成正比

n就是問題的規模,因此A答案不對,答案是C,時間複雜度就是執行時間,O代表同數量級,至於答案B,則是C中包含的特例,一般O(n^2)得演算法並不一定是執行時間等於n^2

求怎麼算時間複雜度 (1)i = 1 while ( i

基本操作是S的累加,設基本操作時間為C,忽略初始化S的時間和迴圈變數i,j累加的時間,基本操作總次數是n*n(n的平方);所以演算法執行時間為T[n]=C*n*n.時間複雜度實際上就是基本操作語句的頻度.本題中的基本操作語句是 s++...

當pn結通入電流時,通入的電流不是由電荷產生的定向運動才產生的電流嗎,而這些定向移動的電荷去哪了? 是否有的與空穴結合,有的削弱pn結了?

pn結是由P型半導體和N型半導體連線後形成的,在介面處形成空間電荷區,PN接面通入電流後,其內部的載流子(電子和空穴)會發生定向移動,進而形成電流!

PN接面為什麼在加反向電壓時,耗盡層會變大

耗盡層就是在PN接面附近,其中的載流子因擴散而耗盡,只留下不能移動的正負離子的區域,又稱空間電荷區.在 P 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質.在電場的作用下,空穴是可以移動的,而電離雜質(離子)是固定不動的 .N 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子.當P型和N型半導體接觸時,在介面附近空穴從P型半導體向N型半導體擴散,電子從N型半導體向P型半導體擴散.空穴和電子相遇而複合,載流子消失.因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子,卻有分佈在空間的帶電的固定離子,稱為空間電荷區 .P 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ,N 型半導體一邊的空間電荷是正離子.正負離子在介面附近產生電場,這電場阻止載流子進一步擴散 ,達到平衡.當PN接面外加反向電壓時,內外電場的方向相同,在外電場的作用下,載流子背離PN接面運動,結果使空間電荷區變寬,耗盡層會(變寬)變大.PN接面外加正向電壓時,擴散電流大於漂移電流,耗盡層將變窄.

為什麼加正向電壓PN接面變薄,加反向變厚

因為PN接面的內電場是靠近P區積累負電荷,靠近N區積累正電荷. 當加正向電壓時,即P區加正,N區加負,在電場力的作用下,有利於P區的多子——空穴,向N區方向移動,使P區的負電荷層靠近P區的部分重新獲得空穴,從而使負電荷...

自由電子、空穴、正負離子的特點及區別 最重要的還是想知道他們的區別.

空穴
hole
半導體價帶中的電子由於被熱或光激發到導帶中,或被受主型雜質俘獲,在價帶中留下一個空能級(即失去電子的價鍵),稱為空穴.當它被鄰近原子的價電子佔據時,將在鄰近產生新的空穴,其效果相當於空穴的移動.人們常把空穴視為在價帶中能自由運動、帶正電的實體,既簡便又確切.
共價鍵中的一些價電子由於熱運動獲得一些能量,從而擺脫共價鍵的約束成為自由電子,同時在共價鍵上留下空位,我們稱這些空位為空穴.
空穴並不是真實存在的,只是對大量電子運動的一種等效,空穴的流動其實就是大量電子運動的等效的反運動,這從空穴的定義和特性就可以知道;
空穴的定義:
當滿帶頂附近產生p0個空態時,其餘大量電子在外電場作用下所產生的電流,可等效為p0個具有正電荷q和正有效質量mp,速度為v(k)的準經典粒子所產生的電流.這樣的準經典離子稱為空穴.
空穴的特徵:
1.荷電量與電子相等但符號相反,既荷+q;
2.有效質量數值等於價帶頂空態所對應的電子有效質量,但符號為正,即mp=-mn;
3.速度為價帶頂空帶所對應的電子速度;
4.濃度等於空態密度p0;
自由電子
金屬導體中的自由電荷.金屬原子的外層電子(價電子)脫離原子核束縛後而成為自由電子.銅的自由電子密度為85×1028米-3.各種金屬的自由電子密度有相同的數量級.n型半導體中的多數載流子是自由電子.
離子
ion
基本概念
離子是原子或原子團由於得失電子而形成的帶電微粒.
原子是由原子核和核外電子組成,原子核帶正電荷,繞核運動的電子則帶相反的負電荷.原子的核電荷數與核外電子數相等,因此原子顯電中性.如果原子從外獲得的能量超過某個殼層電子的結合能,那麼這個電子就可脫離原子的束縛成為自由電子.一般最外層電子數較少的原子、或半徑較大的原子,較易失去電子;反之,則較易獲得電子.當原子的最外層電子軌道達到飽和狀態(第一週期元素2個殼層電子、第二第三週期元素8個電子)時,性質最穩定.
分類
當原子得到一個或幾個電子時,核外電子數多於核電荷數,從而帶負電荷,稱為陰離子.
當原子失去一個或幾個電子時,核外電子數少於核電荷數,從而帶正電荷,稱為陽離子.
(絡離子是指由某些分子、原子或陽離子通過配位鍵與電中性分子或陰離子形成的複雜離子,例如水合離子.絡離子本身可以屬於陽離子或陰離子.)

自由電子.空穴.載流子.和正負離子的特點和區別?

電子掙脫共價鍵的束縛就成為了自由電子!
共價鍵中就留下一個空位,這個空位就叫做空穴!
空穴的出現是半導體區別於導體的一個重要特點
原子失去最外層電子後,便帶正電而成為正離子
原子得到電子帶負電,而成為負離子

PN半導體中,P中的電子隨時間延長,豈不是越來越多,N中的空穴越來越多? 這樣工作時間一場,電子不都在P端阻塞了? 我的意思是,電子應該是迴圈的吧,因為金屬導體中也有電子,但是金屬導線中沒有空穴,空穴不可能在閉合電路中迴圈 我知道電子在迴圈運動, 難道是電子在做絕對運動。空穴實際上是靜止的,只是相對於電子向後運動?

所謂的空穴,只是在p型材料中表示電子行為的一種人造概念.pn結正偏時,電子由n端流入,在pn結中是由n到p的,這個電子流對p型材料,你也可以看成是空穴從p到n,實際上就是那些電子在迴圈運動,所以不會有“阻塞”
另外,比如一電子由A到B運動,就等效為一空穴由B到A運動,以pn結為參照系,其並不是靜止的

時間複雜度的計算. 請各位大俠幫我計算幾道時間複雜度的題.把過程寫清楚. 我是隻超級菜鳥… (1) for(i=1;i

1.時間複雜度O(n^2)2.時間複雜度O(n^2)3.時間複雜度O(n^2)4.時間複雜度O(n)5.時間複雜度O(n^3)一般來說,時間複雜度是總運算次數表示式中受n的變化影響最大的那一項(不含係數)比如:一般總運算次數表示式類似於這樣:...

程式中的時間複雜度是怎麼計算的?

演算法複雜度的介紹,見百科:時間複雜度時間頻度一個演算法執行所耗費的時間,從理論上是不能算出來的,必須上機執行測試才能知道.但我們不可能也沒有必要對每個演算法都上機測試,只需知道哪個演算法花費的時間多,哪個演算法花費...

數量級的不是科學計數法10的冪嗎?為什物理上還說分子直徑的數量級是10^ -10m? 按照數量級的定義,分子直徑的數量級不是該為-10嗎?為什麼數量級還帶單位呢?

-10是數量級,但數量級是用來說明事物之間差別的,有單位才能進行比較
分子在米這個量度的數量級是-10
如果是釐米,那就是-8了

如果我說一個演算法的時間複雜度是O(m*n)且m

應該要吧.因為既然是O(m*n),那就應該是巢狀迴圈.那m和n代表不一樣.可能是
for(i=0;i

碳原子的半徑

0.6*10的-12方 米.

氧原子的半徑為多大?

氧原子的半徑為:0.74X10*-10 米
資料來源:《實用化學手冊》國防工業出版社

每相鄰的兩個計量單位之間的進率都是10計數方法,叫做( )計數法.

是十進位制計數法

每______的兩個計數單位間的進率都是十,這種計數方法叫作______計數法.

每相鄰的兩個計數單位間的進率都是十,這種計數方法叫作十進位制計數法.
故答案為:相鄰,十進位制.

每兩個計數單位之間的進率都是十,這種計數方法叫做十進位制計數法______.(判斷對錯)

每相鄰的兩個計數單位之間的進率都是10,如果不是相鄰的計數單位,它的進率就不是十,
如:1千=100十;
故答案為:錯誤.

每相鄰的兩個計數單位之間的進率都是10的計數方法,叫做( )計數法?

十進位制

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